Name: IPD031N06L3G TO-252の集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用
Brand: HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
SKU: IPD031N06L3G
Availability: InStock

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IPD031N06L3G TO-252の集積回路の破片ICの真新しい原物未使用

起源の場所:

原物

ブランド名:

INFINEON

モデル番号:

IPD031N06L3G

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プロダクト細部

質::

真新しい未使用

パッケージ/箱::

TO-252

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価格

Negotiate

パッケージの詳細

4000

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標準的

8000+

支払条件

D/A、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力

97830pcs

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製品説明

ISO9001.pdf

適用:IPD031N06L3Gは強力な転換の電源、コンバーター、モータードライブ、LEDの照明および他の分野で広く利用された高圧MOSFETのトランジスターである。
結論:IPD031N06L3Gに低い抵抗、高い現在の抵抗容量、低い転換の損失およびそれを有効な力転換回路のために適したようにする高温性能のような優秀な特徴がある。
変数:
源の電圧を流出させなさい:60V
現在を流出させなさい:100A
典型的な抵抗:3.1m Ω
入れられたキャパシタンス:3742pF
出力キャパシタンス:891pF
ゲート充満:60nC
ゲート源電圧:± 20V
包装:TO-252 （D朴）包装、サイズ6.5mm x 9.8mm x 4.6mm、手動および自動溶接のための適した。

プロダクト技術仕様

EU RoHS	免除の聽と迎合的
ECCN （米国）	EAR99
部分の状態	未確認
SVHC	はい
SVHCは境界を超過する	はい
自動車	はい
PPAP	未知数
製品カテゴリ	力MOSFET
構成	単一
加工技術	OptiMOS
チャネルモード	強化
チャネルタイプ	N
破片ごとの要素の数	1
最高の下水管の源の電圧（v）	100
最高のゲート源電圧（v）	卤20
最高の連続的な下水管現在の（a）	35
最高の下水管の源の抵抗（mOhm）	25@10V
典型的なゲート充満@ Vgs （NC）	23@10V
典型的なゲート充満@ 10V （NC）	23
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds （pF）	1560@50V
最高の電力損失（MW）	71000
典型的な落下時間（ns）	3
典型的な上昇時間（ns）	4
典型的なTurn-Off遅れ時間（ns）	13
典型的なTurn-On遅れ時間（ns）	10
最低の実用温度（掳C）	-55
最高使用可能温度（掳C）	175
製造者の温度の等級	自動車
包装	テープおよび巻き枠
土台	表面の台紙
パッケージの高さ	2.3
パッケージの幅	6.22
パッケージの長さ	6.5
PCBは変わった	2
タブ	タブ
標準パッケージの名前	TO-252
製造者のパッケージ	DPAK
ピン・カウント	3

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