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IPD35N10S3L-26 TO-252集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用

IPD35N10S3L-26 TO-252集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用

起源の場所:

原物

ブランド名:

INFINEON

モデル番号:

IPD35N10S3L-26

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プロダクト細部
質::
真新しい未使用
パッケージ/箱::
TO-252
支払及び船積みの言葉
最小注文数量
1PCS
価格
Negotiate
パッケージの詳細
4000
受渡し時間
3
標準的
8000+
支払条件
D/A、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力
97830pcs
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製品説明

ISO9001.pdf

適用:
IPD35N10S3L-26は主に転換の電源、三相モーター ドライブおよび電気用具のような分野で使用されるN-channel MOSFETのトランジスターである。
結論:
IPD35N10S3L-26に低い伝導の抵抗、高い切り替え速度および強い帯電防止能力の特徴がある。それは高温および電圧条件の下で正常に作動できよい信頼性および安定性がある。
変数:
伝導の抵抗:35m Ω (最高)
現在の漏出:25 μ A (最大値)
ゲート源電圧:± 20V
評価される流れ:35A
働く温度:-55 150 ℃への℃
包装:
IPD35N10S3L-26は6.6mm x 9.45mm x 2.2mmの次元のTO-252 (DPAK)で、包まれる。

プロダクト技術仕様
EU RoHS 免除の聽と迎合的
ECCN (米国) EAR99
部分の状態 未確認
HTS 8541.29.00.95
SVHC はい
SVHCは境界を超過する はい
自動車 はい
PPAP 未知数
製品カテゴリ 力MOSFET
構成 単一
加工技術 OptiMOS
チャネル モード 強化
チャネル タイプ N
破片ごとの要素の数 1
最高の下水管の源の電圧(v) 100
最高のゲート源電圧(v) 卤20
最高の連続的な下水管現在の(a) 35
最高の下水管の源の抵抗(mOhm) 24@10V
典型的なゲート充満@ Vgs (NC) 30@10V
典型的なゲート充満@ 10V (NC) 30
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds (pF) 2070@25V
最高の電力損失(MW) 71000
典型的な落下時間(ns) 3
典型的な上昇時間(ns) 4
典型的なTurn-Off遅れ時間(ns) 18
典型的なTurn-On遅れ時間(ns) 6
最低の実用温度(掳C) -55
最高使用可能温度(掳C) 175
製造者の温度の等級 自動車
包装 テープおよび巻き枠
土台 表面の台紙
パッケージの高さ 2.26 (最高)
パッケージの幅 6.22 (最高)
パッケージの長さ 6.73 (最高)
PCBは変わった 2
タブ タブ
標準パッケージの名前 TO-252
製造者のパッケージ DPAK
ピン・カウント 3
鉛の形 カモメ翼

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