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IPD50N04S3-08 TO-252集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用

IPD50N04S3-08 TO-252集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用

起源の場所:

原物

ブランド名:

INFINEON

モデル番号:

IPD50N04S3-08

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プロダクト細部
質::
真新しい未使用
パッケージ/箱::
TO-252
支払及び船積みの言葉
最小注文数量
1PCS
価格
Negotiate
パッケージの詳細
4000
受渡し時間
3
標準的
8000+
支払条件
D/A、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力
97830pcs
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製品説明

ISO9001.pdf
適用:
IPD50N04S3-08はさまざまな低電圧でおよび高い現在のDC-DCのコンバーター、運動制御、照明制御および力管理分野広く利用されたN-channel MOSFETである。
結論:
IPD50N04S3-08は高度の製造技術を採用し、有効な力管理適用で低い伝導の抵抗、高圧抵抗およびそれを顕著にさせる低い転換の損失のような利点がある。
変数:
最高の下水管の電圧:40V
最高の下水管の流れ:50A
伝導の抵抗:6.5m Ω
ゲートの電圧範囲:± 20V
静的な入力キャパシタンス:3000pF
働く温度較差:-55 ℃~175 ℃
包装:
IPD50N04S3-08は小さく、取付け易い高密度サーキット ボードの設計のために適したTO-252 (DPAK)で、包まれる。

プロダクト技術仕様
EU RoHS免除と迎合的
ECCN (米国)EAR99
部分の状態NRND
HTS8541.29.00.95
SVHCはい
SVHCは境界を超過するはい
自動車はい
PPAP未知数
製品カテゴリ力MOSFET
構成単一
加工技術OptiMOS
チャネル モード強化
チャネル タイプN
破片ごとの要素の数1
最高の下水管の源の電圧(v)40
最高のゲート源電圧(v)±20
最高のゲートの境界の電圧(v)4
最高の連続的な下水管現在の(a)50
最高の下水管の源の抵抗(mOhm)7.5@10V
典型的なゲート充満@ Vgs (NC)27@10V
典型的なゲート充満@ 10V (NC)27
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds (pF)1800@25V
最高の電力損失(MW)68000
典型的な落下時間(ns)6
典型的な上昇時間(ns)7
典型的なTurn-Off遅れ時間(ns)16
典型的なTurn-On遅れ時間(ns)11
最低の実用温度(°C)-55
最高使用可能温度(°C)175
包装テープおよび巻き枠
脈打つ最高は流れ@ TC=25°Cを流出させる(a)200
土台表面の台紙
パッケージの高さ2.3
パッケージの幅6.22
パッケージの長さ6.5
PCBは変わった2
タブタブ
標準パッケージの名前TO-252
製造者のパッケージDPAK
ピン・カウント3

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