Name: IPD50N04S4-10 TO-252集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用
Brand: HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
SKU: IPD50N04S4-10
Availability: InStock

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IPD50N04S4-10 TO-252集積回路の破片ICの真新しい原物未使用

起源の場所:

原物

ブランド名:

INFINEON

モデル番号:

IPD50N04S4-10

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プロダクト細部

質::

真新しい未使用

パッケージ/箱::

TO-252

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4000

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標準的

8000+

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D/A、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力

97830pcs

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製品説明

ISO9001.pdf

適用:IPD50N04S4-10は高性能電源スイッチおよびモーター運転者の塗布で一般的なN-channel MOSFETのトランジスターである。
結論:IPD50N04S4-10に、低い伝導の抵抗現在の低い漏出の特徴および高性能および信頼性を提供できる高温安定性がある。
変数:
評価される電圧:40V
評価される流れ:50A
伝導の抵抗:10m Ω
強いられたキャパシタンス:1900pF
最高の働く温度:175 ℃
包装:TO-252-3 （DPAK）

プロダクト技術仕様

EU RoHS	免除の聽と迎合的
ECCN （米国）	EAR99
部分の状態	未確認
SVHC	はい
SVHCは境界を超過する	はい
自動車	はい
PPAP	未知数
製品カテゴリ	力MOSFET
構成	単一
加工技術	OptiMOS
チャネルモード	強化
チャネルタイプ	N
破片ごとの要素の数	1
最高の下水管の源の電圧（v）	40
最高のゲート源電圧（v）	卤20
最高の連続的な下水管現在の（a）	50
最高の下水管の源の抵抗（mOhm）	9.3@10V
典型的なゲート充満@ Vgs （NC）	14@10V
典型的なゲート充満@ 10V （NC）	14
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds （pF）	1100@25V
最高の電力損失（MW）	41000
典型的な落下時間（ns）	5
典型的な上昇時間（ns）	7
典型的なTurn-Off遅れ時間（ns）	4
典型的なTurn-On遅れ時間（ns）	5
最低の実用温度（掳C）	-55
最高使用可能温度（掳C）	175
製造者の温度の等級	自動車
包装	テープおよび巻き枠
土台	表面の台紙
パッケージの高さ	2.3
パッケージの幅	6.22
パッケージの長さ	6.5
PCBは変わった	2
タブ	タブ
標準パッケージの名前	TO-252
製造者のパッケージ	DPAK
ピン・カウント	3

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