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IPD50N04S4L-08 TO-252集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用

IPD50N04S4L-08 TO-252集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用

起源の場所:

原物

ブランド名:

INFINEON

モデル番号:

IPD50N04S4L-08

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プロダクト細部
質::
真新しい未使用
パッケージ/箱::
TO-252
支払及び船積みの言葉
最小注文数量
1PCS
価格
Negotiate
パッケージの詳細
4000
受渡し時間
3
標準的
8000+
支払条件
D/A、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力
97830pcs
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製品説明

ISO9001.pdf

適用:
IPD50N04S4L-08は高速転換回路、DC電源、インバーター、自動車電子工学および他の分野で一般的なN-channel MOSFETである。
結論:
IPD50N04S4L-08に有効な、信頼できる回路設計を達成できる低い伝導の抵抗、高い切り替え速度およびよい一定温度の特徴がある。
変数:
評価される電圧:40V
最高の下水管の流れ:50A
静的な伝導の抵抗:5.1m Ω
入れられたキャパシタンス:2200pF
一時的な熱抵抗:1.5 ℃/W
包装:
IPD50N04S4L-08は表面の台紙の溶接のために適した6.5mmの× 9.5mmの× 2.3mmのサイズのTO-252 (DPAK)で包まれる。

プロダクト技術仕様
EU RoHS 免除の聽と迎合的
ECCN (米国) EAR99
部分の状態 未確認
SVHC はい
SVHCは境界を超過する はい
自動車 はい
PPAP 未知数
製品カテゴリ 力MOSFET
構成 単一
加工技術 OptiMOS
チャネル モード 強化
チャネル タイプ N
破片ごとの要素の数 1
最高の下水管の源の電圧(v) 40
最高のゲート源電圧(v) 卤20
最高の連続的な下水管現在の(a) 50
最高の下水管の源の抵抗(mOhm) 7.3@10V
典型的なゲート充満@ Vgs (NC) 23@10V
典型的なゲート充満@ 10V (NC) 23
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds (pF) 1800@25V
最高の電力損失(MW) 46000
典型的な落下時間(ns) 18
典型的な上昇時間(ns) 8
典型的なTurn-Off遅れ時間(ns) 11
典型的なTurn-On遅れ時間(ns) 4
最低の実用温度(掳C) -55
最高使用可能温度(掳C) 175
製造者の温度の等級 自動車
包装 テープおよび巻き枠
土台 表面の台紙
パッケージの高さ 2.15
パッケージの幅 6.22
パッケージの長さ 6.5
PCBは変わった 2
タブ タブ
標準パッケージの名前 TO-252
製造者のパッケージ DPAK
ピン・カウント 3
鉛の形 カモメ翼

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