Name: IPD50N04S4L-08 TO-252集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用
Brand: HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
SKU: IPD50N04S4L-08
Availability: InStock

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IPD50N04S4L-08 TO-252集積回路の破片ICの真新しい原物未使用

起源の場所:

原物

ブランド名:

INFINEON

モデル番号:

IPD50N04S4L-08

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IPD50N04S4L-08 TO-252集積回路の破片ICの真新しい原物未使用

プロダクト細部

質::

真新しい未使用

パッケージ/箱::

TO-252

支払及び船積みの言葉

最小注文数量

1PCS

価格

Negotiate

パッケージの詳細

4000

受渡し時間

標準的

8000+

支払条件

D/A、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力

97830pcs

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製品説明

ISO9001.pdf

適用:
IPD50N04S4L-08は電気用具、電気自動車および電源のような強力な転換回路で一般的なN-channel MOSFET力トランジスターである。
結論:
IPD50N04S4L-08に力の切換えの高性能そして信頼性を達成できる低い伝導の抵抗、高い切り替え速度および低い漏出流れの利点がある。
変数:
最高の消滅力:50W
最高の下水管の電圧:40V
最高の下水管の流れ:50A
伝導の抵抗:8m Ω
入れられたキャパシタンス:2235pF
出力キャパシタンス:345pF
包装:
IPD50N04S4L-08は包むTO-252の包装、小さい容積およびよい熱放散の性能がある別名DPAKを採用する。

プロダクト技術仕様

EU RoHS	免除の聽と迎合的
ECCN （米国）	EAR99
部分の状態	未確認
SVHC	はい
SVHCは境界を超過する	はい
自動車	はい
PPAP	未知数
製品カテゴリ	力MOSFET
構成	単一
加工技術	OptiMOS
チャネルモード	強化
チャネルタイプ	N
破片ごとの要素の数	1
最高の下水管の源の電圧（v）	40
最高のゲート源電圧（v）	卤20
最高の連続的な下水管現在の（a）	50
最高の下水管の源の抵抗（mOhm）	7.3@10V
典型的なゲート充満@ Vgs （NC）	23@10V
典型的なゲート充満@ 10V （NC）	23
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds （pF）	1800@25V
最高の電力損失（MW）	46000
典型的な落下時間（ns）	18
典型的な上昇時間（ns）	8
典型的なTurn-Off遅れ時間（ns）	11
典型的なTurn-On遅れ時間（ns）	4
最低の実用温度（掳C）	-55
最高使用可能温度（掳C）	175
製造者の温度の等級	自動車
包装	テープおよび巻き枠
土台	表面の台紙
パッケージの高さ	2.15
パッケージの幅	6.22
パッケージの長さ	6.5
PCBは変わった	2
タブ	タブ
標準パッケージの名前	TO-252
製造者のパッケージ	DPAK
ピン・カウント	3
鉛の形	カモメ翼

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