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IPD50P04P4L TO-252の集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用

IPD50P04P4L TO-252の集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用

起源の場所:

原物

ブランド名:

INFINEON

モデル番号:

IPD50P04P4L

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プロダクト細部
質::
真新しい未使用
パッケージ/箱::
TO-252
支払及び船積みの言葉
最小注文数量
1PCS
価格
Negotiate
パッケージの詳細
4000
受渡し時間
3
標準的
8000+
支払条件
D/A、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力
97830pcs
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製品説明

ISO9001.pdf

IPD50P04P4Lは主に電源スイッチ、DC DCのコンバーターおよび電力制御のような分野で使用されるP-channel MOSFETのトランジスターである。次はIPD50P04P4Lのための重要な変数そして包装情報である:
変数:
評価される電圧:40V
最高の下水管の流れ:50A
現在の力:4A
静的な抵抗:12m Ω
ゲート充満:62nC
包装:
TO-252 (DPAK)包装
結論:
IPD50P04P4Lは現在の高圧、高くおよび電源スイッチ、DC DCのコンバーターおよび電力制御分野で広く利用される低く静的な抵抗のP-channel MOSFETのトランジスターである。それに高性能、安定性および信頼性の特徴がある。

プロダクト技術仕様
EU RoHS 免除と迎合的
ECCN (米国) EAR99
部分の状態 時代遅れ
HTS 8541.29.00.95
SVHC はい
SVHCは境界を超過する はい
自動車 はい
PPAP 未知数
製品カテゴリ 力MOSFET
構成 単一
加工技術 OptiMOS P2
チャネル モード 強化
チャネル タイプ P
破片ごとの要素の数 1
最高の下水管の源の電圧(v) 40
最高のゲート源電圧(v) 16
最高のゲートの境界の電圧(v) 2.2
作動の接合部温度(°C) -55から175
最高の連続的な下水管現在の(a) 50
最高の下水管の源の抵抗(mOhm) 10.6@10V
典型的なゲート充満@ Vgs (NC) 45@10V
典型的なゲート充満@ 10V (NC) 45
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds (pF) 3000@25V
最高の電力損失(MW) 58000
典型的な落下時間(ns) 39
典型的な上昇時間(ns) 9
典型的なTurn-Off遅れ時間(ns) 46
典型的なTurn-On遅れ時間(ns) 12
最低の実用温度(°C) -55
最高使用可能温度(°C) 175
製造者の温度の等級 自動車
包装 テープおよび巻き枠
土台 表面の台紙
パッケージの高さ 2.3
パッケージの幅 6.22
パッケージの長さ 6.5
PCBは変わった 2
タブ タブ
標準パッケージの名前 TO-252
製造者のパッケージ DPAK
ピン・カウント 3

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