Name: IPD053N06NATMA1 TO-252の集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用
Brand: HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
SKU: IPD053N06NATMA1
Price: Negotiable USD
Availability: InStock

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IPD053N06NATMA1 TO-252の集積回路の破片ICの真新しい原物未使用

起源の場所:

原物

ブランド名:

INFINEON

モデル番号:

IPD053N06NATMA1

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IPD053N06NATMA1 TO-252の集積回路の破片ICの真新しい原物未使用

プロダクト細部

質::

真新しい未使用

パッケージ/箱::

TO-252

支払及び船積みの言葉

最小注文数量

1PCS

価格

Negotiate

パッケージの詳細

4000

受渡し時間

標準的

8000+

支払条件

D/A、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力

97830pcs

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製品説明

ISO9001.pdf

適用:IPD053N06NATMA1は主に高性能DC-DCのコンバーター、力管理、LEDの運転者および他の回路で使用されるN-channel MOSFETである。
結論:IPD053N06NATMA1に優秀な伝導の特徴、低い漏出現在の、高温システムの効率そして信頼性を改善できる安定性および信頼性がある。
変数:
評価される電圧:60V
評価される流れ:53A
静特性:
現在の漏出:25uA
管の抵抗:4.5mOhm
動特性:
入れられたキャパシタンス:3200pF
出力キャパシタンス:810pF
温度の特徴:
働く温度較差:-55 ℃ to+175の℃
熱抵抗:0.5 ℃/W
包装:IPD053N06NATMA1は6.5mm x 9.5mm x 2.5mmのサイズと、包むTO-252 （DPAK）を採用する。

プロダクト技術仕様

EU RoHS	免除の聽と迎合的
ECCN （米国）	EAR99
部分の状態	活動的
HTS	8541.29.00.95
SVHC	はい
SVHCは境界を超過する	はい
自動車	いいえ
PPAP	いいえ
製品カテゴリ	力MOSFET
構成	単一
加工技術	OptiMOS
チャネルモード	強化
チャネルタイプ	N
破片ごとの要素の数	1
最高の下水管の源の電圧（v）	60
最高のゲート源電圧（v）	卤20
最高のゲートの境界の電圧（v）	2.8 （タイプ）
最高の連続的な下水管現在の（a）	45
最高のゲートの源の漏出流れ（nA）	100
最高IDSS （uA）	1
最高の下水管の源の抵抗（mOhm）	5.3@10V
典型的なゲート充満@ Vgs （NC）	27@10V
典型的なゲート充満@ 10V （NC）	27
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds （pF）	2000@30V
最高の電力損失（MW）	3000
典型的な落下時間（ns）	7
典型的な上昇時間（ns）	12
典型的なTurn-Off遅れ時間（ns）	20
典型的なTurn-On遅れ時間（ns）	12
最低の実用温度（掳C）	-55
最高使用可能温度（掳C）	175
包装	テープおよび巻き枠
土台	表面の台紙
パッケージの高さ	2.3
パッケージの幅	6.22
パッケージの長さ	6.5
PCBは変わった	2
タブ	タブ
標準パッケージの名前	TO-252
製造者のパッケージ	DPAK
ピン・カウント	3

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