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IPD60R180P7 TO-252の集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用

IPD60R180P7 TO-252の集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用

起源の場所:

原物

ブランド名:

INFINEON

モデル番号:

IPD60R180P7

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プロダクト細部
質::
真新しい未使用
パッケージ/箱::
TO-252
支払及び船積みの言葉
最小注文数量
1PCS
価格
Negotiate
パッケージの詳細
4000
受渡し時間
3
標準的
8000+
支払条件
D/A、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力
97830pcs
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製品説明

ISO9001.pdf

適用:
IPD60R180P7は600V CoolMOSの™ P7力MOSFET家庭用電化製品、産業電源、LEDの照明、等のような高性能の転換の適用のために適しているである。それは低い伝導のような優秀な性能をおよび転換の損失、高温容量および低いEMI提供できる。
結論:
IPD60R180P7に次の利点がある:
低い伝導および転換の損失システム効率を改善するため;
高温度の環境で働くことができる高温容量;
システム電磁妨害雑音を減らす低いEMI;
長い耐用年数および高圧抵抗のような特徴の高い信頼性。
変数:
評価される電圧:600V;
評価される流れ:23A;
動的抵抗:30m Ω;
最高の下水管キャパシタンス:780pF;
典型的な開始時間:22ns;
典型的な操業停止の時間:49ns;
最高の働く温度:150 ℃。

プロダクト技術仕様
EU RoHS 免除の聽と迎合的
ECCN (米国) EAR99
部分の状態 未確認
SVHC はい
SVHCは境界を超過する はい
自動車 いいえ
PPAP いいえ
製品カテゴリ 力MOSFET
構成 単一
加工技術 CoolMOS P7
チャネル モード 強化
チャネル タイプ N
破片ごとの要素の数 1
最高の下水管の源の電圧(v) 600
最高のゲート源電圧(v) 20
最高のゲートの境界の電圧(v) 4
最高の連続的な下水管現在の(a) 18
最高のゲートの源の漏出流れ(nA) 1000
最高IDSS (uA) 1
最高の下水管の源の抵抗(mOhm) 180@10V
典型的なゲート充満@ Vgs (NC) 25@10V
典型的なゲート充満@ 10V (NC) 25
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds (pF) 1081@400V
最高の電力損失(MW) 72000
典型的な落下時間(ns) 8
典型的な上昇時間(ns) 12
典型的なTurn-Off遅れ時間(ns) 85
典型的なTurn-On遅れ時間(ns) 14
最低の実用温度(掳C) -55
最高使用可能温度(掳C) 150
包装 テープおよび巻き枠
土台 表面の台紙
パッケージの高さ 2.41 (最高)
パッケージの幅 6.22 (最高)
パッケージの長さ 6.73 (最高)
PCBは変わった 2
タブ タブ
標準パッケージの名前 TO-252
製造者のパッケージ DPAK
ピン・カウント 3
ピン・カウント 3
製造者のパッケージ DPAK
ピン・カウント 3
鉛の形 カモメ翼

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