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IPD320N20N3G Ic 統合回路 TO-252

IPD320N20N3G Ic 統合回路 TO-252

IPD320N20N3G Ic統合回路

TO-252 ICの集積回路

IPD320N20N3G 統合回路ICチップ

起源の場所:

原物

ブランド名:

INFINEON

モデル番号:

IPD320N20N3G

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プロダクト細部
質::
真新しい未使用
パッケージ/箱::
TO-252
支払及び船積みの言葉
最小注文数量
1PCS
価格
Negotiate
パッケージの詳細
4000
受渡し時間
3
標準的
8000+
支払条件
D/A、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力
97830pcs
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製品説明

ISO9001.pdf

適用: IPD320N20N3Gは,高効率DC-DC変換器およびインバーターアプリケーションに使用されるNチャネルMOSFETトランジスタです.高電圧で動作できます.低伝導抵抗と高スイッチ速度.
結論: IPD320N20N3Gは高効率,高電圧,低導電抵抗の特徴があり,高功率DC-DCコンバーターおよびインバーターに適しています.システムのエネルギー効率を向上させる電力損失を削減し,使用寿命が長くなります
パラメーター:
Vds (最大) =200V (最大耐電圧)
Id=320A (最大排出電流)
Rds (オン) = 3.3m Ω (導電抵抗)
Qg=230nC (ゲート充電)
Vgs (th) = 4V (ゲートスロージングル電圧)
Ciss=12300pF (入力容量)
Coss=1170pF (出力容量)
Crss=570pF (逆送電容量)

製品技術仕様
EU RoHS 免除聽 に準拠する
ECCN (アメリカ) EAR99
部品のステータス 確認されていない
SVHC そうだ
SVHC 制限値を超え そうだ
自動車 違う
PPAP 違う
製品カテゴリー パワー MOSFET
構成 シングル
プロセス技術 オプティモス 3
チャンネルモード 強化
チャンネルタイプ N
チップ1個あたりエレメント数 1
最大排水源電圧 (V) 200
ゲートソースの最大電圧 (V) ¥20
最大ゲートスリージングル電圧 (V) 4
交差点の動作温度 ( capturC) -55から175
最大連続流出電流 (A) 34
最大ゲートソース漏電電 (nA) 100
最大IDSS (uA) 1
最大排水源抵抗 (MOhm) 32@10V
典型的なゲートチャージ @ Vgs (nC) 22@10V
典型的なゲート充電 @ 10V (nC) 22
典型的なゲート・トゥ・ドレイン・チャージ (nC) 3
典型的なゲート・トゥ・ソース・チャージ (nC) 8
典型的な逆回収料金 (nC) 500
典型的なスイッチ充電 (nC) 5
典型的な入力容量 @ Vds (pF) 1770@100V
典型的な逆転送容量 @ Vds (pF) 4@100V
最低ゲートスリージングル電圧 (V) 2
典型的な出力容量 (pF) 135
最大電力の分散 (mW) 136000
典型的な秋時間 (ns) 4
典型的な上昇時間 (ns) 9
典型的な切断遅延時間 (ns) 21
典型的なオンアップ遅延時間 (ns) 11
最低動作温度 ( capturC) -55歳
最大動作温度 ( capturC) 175
パッケージ テープ と リール
最大パルス排出電流 @ TC=25 capturC (A) 136
PCBの最大交差点環境熱抵抗 ( capturC/W) 50
典型的なダイオード前向き電圧 (V) 0.9
典型的なゲートプレート電圧 (V) 4.4
典型的な逆回復時間 (ns) 110
最大ダイオード前向き電圧 (V) 1.2
標準的なゲートスロージングル電圧 (V) 3
最大正門源電圧 (V) 20
マウント 表面マウント
パッケージの高さ 2.41 (最大)
パッケージの幅 6.22 (最大)
パッケージの長さ 6.73 (最大)
PCBが変わった 2
タブ タブ
標準パッケージ名 TO-252
供給者 パッケージ DPAK
ピン数 3
鉛の形状 クラゲの翼

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