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新しく、元のLMV358LIDT SOIC8の集積回路

新しく、元のLMV358LIDT SOIC8の集積回路

LMV358LIDT ICの破片

LMV358LIDTの集積回路

統合されたSOIC8 IC

起源の場所:

ブランド名:

ST

モデル番号:

LMV358LIDT

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プロダクト細部
質::
真新しい未使用
パッケージ/箱::
SOIC8
支払及び船積みの言葉
最小注文数量
1PCS
価格
Negotiate
パッケージの詳細
2500
受渡し時間
3
標準的
8000+
供給の能力
12450pcs
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製品説明

ISO9001.pdf


LMV358LIDTはSTMICROELECTRONICSで構成される二重回路の低電圧の演算増幅器である
製造。それは単一の電源電圧の下で設計されている、入出力振動を柵で囲むために柵を作動できローパワー適用のために提供する。次は適用、結論および変数である:
適用:
オーディオ・アンプおよび前置増幅器
センサーのアンプ
信号処理回路
活動的なフィルター
電圧制御発振器
結論:
LMV358LIDTはローパワー適用のために適した二重回路の低電圧の演算増幅器である。
それは単一の電源電圧の下で作動でき入出力振動を柵で囲むために柵を提供する。
それに低い電力の消費、高い同相除去比、低い入力バイアス現在および信頼できる静電放電(ESD)の保護がある。
それはオーディオ・アンプ、センサーのアンプ、信号処理回路、活動的なフィルターおよび電圧制御発振器のような適用のために適している。
変数:
入れられた電圧範囲:2.7Vへの5.5V
出力電圧範囲:VCCへの0V
実用温度範囲:-40 °のCから125 ° C
利益帯域幅プロダクト:1つのMHz
比例した斜面:0.5 V/のμ s
入れられたバイアス電圧:1 mV
入れられたバイアス流れ:10 nA
包装:SOIC8

EU RoHS 迎合的
ECCN (米国) EAR99
部分の状態 活動的
HTS 8542.33.00.01
自動車 いいえ
PPAP いいえ
タイプ 低い電力のアンプ
製造業者のタイプ 低い電力のアンプ
破片ごとのチャネルの数 2
柵で囲むべき柵 出力を柵で囲む柵
最高は入れたオフセットの電圧(mV)を 7@5V
最低の単一の供給電圧(v) 2.7
最高の単一の供給電圧(v) 5.5
典型的な低レベルの出力電圧(v) 0.3
典型的な高レベル出力電圧(v) 4.99
最高によって入れられるオフセットの流れ(uA) 0.03@5V
典型的な入れられたバイアス流れ(uA) 0.027@5V
最高によって入れられるバイアス流れ(uA) 0.06@5V
最高の静止流れ(mA) 0.5@5V
電源のタイプ 単一
典型的なスルー・レート(V/us) 0.7@5V
典型的な入れられた騒音の電圧密度(nV/rtHz) 30@5V
入れられたオフセットの電圧漂流(uV/°C) 5 (タイプ)
典型的な電圧利益(dB) 100
典型的なNoninvertingの入力電流の騒音密度(pA/rtHz) 0.3@5V
最低CMRR (dB) 72
最低CMRRの範囲(dB) 71から75
典型的な利益帯域幅プロダクト(MHz) 1.3
締められたサポート いいえ
最低の実用温度(°C) -40
最高使用可能温度(°C) 125
製造者の温度の等級 産業
包装 テープおよび巻き枠
土台 表面の台紙
パッケージの高さ 1.25 (分)
パッケージの幅 3.9
パッケージの長さ 4.9
PCBは変わった 8
標準パッケージの名前 そう
製造者のパッケージ そうN
ピン・カウント 8
鉛の形 カモメ翼

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